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Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)的技術(shù)要求

文章出處 : 技術(shù)知識(shí) 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時(shí)間 : 2024-11-05

隨著電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用,尤其是在移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、智能家居等領(lǐng)域,閃存芯片(如NAND Flash)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的重要性日益增加。為了確保這些閃存芯片在極端環(huán)境條件下的可靠性,必須對(duì)其進(jìn)行高低溫沖擊試驗(yàn),這就需要用到Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)。下面,我們來(lái)了解一下Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)的相關(guān)技術(shù)要求。

設(shè)備名稱:環(huán)儀儀器 Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)

Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)的技術(shù)要求(圖1)

箱體結(jié)構(gòu):

試驗(yàn)箱的箱體采用耐高溫、耐低溫材料制造,具有良好的隔熱性能。箱體的一側(cè)設(shè)置有門(mén)體,方便樣品的放入和取出。

內(nèi)部結(jié)構(gòu):

1.試驗(yàn)箱內(nèi)部設(shè)置有滑動(dòng)板,滑動(dòng)板的滑動(dòng)方向與箱體內(nèi)的加熱裝置和制冷裝置的放置方向平行。

2.通過(guò)滑動(dòng)板的移動(dòng),能夠改變加熱裝置和制冷裝置與箱體內(nèi)部的連通狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)溫度的快速轉(zhuǎn)換,模擬芯片在高溫和低溫環(huán)境中的使用情況。

3.加熱裝置和制冷裝置分別位于箱體的兩側(cè),并與滑動(dòng)板滑動(dòng)機(jī)構(gòu)相連接。滑動(dòng)板可在兩側(cè)之間進(jìn)行快速滑動(dòng),直接隔斷加熱裝置與制冷裝置的接觸,控制內(nèi)部溫度。

Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)的技術(shù)要求(圖2)

溫度沖擊測(cè)試過(guò)程:

1.在測(cè)試開(kāi)始時(shí),用戶將待測(cè)的閃存芯片放置在置物板的嵌槽內(nèi),確保芯片穩(wěn)定。

2.通過(guò)滑動(dòng)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng),滑動(dòng)板開(kāi)始在加熱室和制冷室之間滑動(dòng),控制溫度的逐步變化。滑動(dòng)板的變化使得加熱裝置和制冷裝置與箱體內(nèi)部分隔,迅速改變箱體內(nèi)的環(huán)境溫度。

3.加熱裝置和制冷裝置的溫度變化,經(jīng)過(guò)滑動(dòng)板的調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)高溫和低溫環(huán)境的迅速切換,模擬芯片在極端溫度變化下的實(shí)際工作狀態(tài)。

Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)的技術(shù)要求(圖3)


如需了解Flash/eMMC存儲(chǔ)熱沖擊試驗(yàn)機(jī)的選型方法,可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。

文章標(biāo)簽 : 高低溫沖擊試驗(yàn)箱

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